物質系専攻 女屋崇助教が応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞を受賞
投稿日:2024/04/03
更新日:2024/05/02
- 受賞 / 表彰
物質系専攻 喜多研究室の女屋崇助教が、第15回(2023年度)応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞を受賞しました。また、授賞式及び受賞記念講演が2024年3月22日~25日に東京都市大学世田谷キャンパスで開催された2024年第71回応用物理学会春季学術講演会にて執り行われました。
論文名:"Wake-up-free properties and high fatigue resistance of HfxZr1-xO2-based metal-ferroelectric-semiconductor using top ZrO2 nucleation layer at low thermal budget (300 °C)", APL Materials vol. 10, pp. 051110-1-7 (2022).
著者:Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Tomomi Sawada, Hiroyuki Ota, and Yukinori Morita
なお本論文の内容は、国立研究開発法人物質・材料研究機構(NIMS)及び国立研究開発法人産業技術総合研究所(AIST)との共同研究の成果の一部です。
写真左から、井田次郎先生(金沢工大、分科会幹事長)、女屋崇助教、生田目俊秀博士(NIMS)、澤田朋実氏(NIMS)、森田行則博士(AIST)、中塚理先生(名大、分科会副幹事長)